美國 UNIVERSITY WAFER SoS Substrate 藍(lán)寶石基硅襯底晶圓
藍(lán)寶石上硅 （SOS） 襯底是在藍(lán)寶石晶片上生長(zhǎng)的硅薄膜。藍(lán)寶石是一種結(jié)晶氧化鋁，以其高強(qiáng)度和熱穩(wěn)定性而聞名，使其成為微電子器件的理想襯底材料。然后，硅薄膜被用作使用各種制造工藝（如光刻、蝕刻和沉積）生產(chǎn)微電子器件的襯底。
SOS 基板用于需要高質(zhì)量、高性能微電子器件的各種應(yīng)用。SOS 基材的一些主要優(yōu)勢(shì)包括：
- 高熱穩(wěn)定性： 藍(lán)寶石襯底具有出色的熱穩(wěn)定性，使 SOS 襯底適合在高溫環(huán)境中使用。
- 高電絕緣性：藍(lán)寶石具有較高的電擊穿場(chǎng)，使 SOS 襯底適用于高壓應(yīng)用。
- 高強(qiáng)度： 藍(lán)寶石是一種非常堅(jiān)硬和堅(jiān)固的材料，使 SOS 襯底能夠抵抗機(jī)械損傷和磨損。
- 高抗輻射性：藍(lán)寶石還具有很強(qiáng)的抗輻射性，使 SOS 襯底適用于對(duì)輻射敏感的應(yīng)用，例如太空或核電站。
總體而言，SOS 襯底的主要優(yōu)勢(shì)在于它們能夠?yàn)槲㈦娮悠骷纳a(chǎn)提供穩(wěn)定、高質(zhì)量的襯底，特別是在需要高熱穩(wěn)定性、高電絕緣性、高強(qiáng)度和高抗輻射性的環(huán)境中。
用于超表面研究的晶片
沉積在藍(lán)寶石晶片上的 600nm 厚硅已被研究客戶用于其學(xué)術(shù)研究超表面。
我們的研究客戶聲明：
我們將使用電子束光刻技術(shù)在藍(lán)寶石晶片上制造設(shè)計(jì)的硅
納米結(jié)構(gòu)，這被稱為
超表面。
超表面可用于操縱光的波前、
傳播方向或聚焦。
藍(lán)寶石基硅 （SoS） 應(yīng)用
藍(lán)寶石的優(yōu)點(diǎn)是它是一種出色的電絕緣體，可防止輻射引起的雜散電流擴(kuò)散到附近的電路元件。當(dāng)硅在藍(lán)寶石上生長(zhǎng)時(shí)，所得的?SoS 基質(zhì)e 用于制造 IC 器件。當(dāng)器件需要較少的寄生器件電容并提高高溫下的器件效率時(shí)，通常使用 SoS 晶圓代替絕緣體上硅。
但藍(lán)寶石晶片上外延硅生長(zhǎng)的問題是晶格失配、不一致的熱膨脹系數(shù)和有限的硅尺寸。?Si-sapphire 界面是一個(gè)厚的缺陷區(qū)域的所在地。?固相外延生長(zhǎng) （SPER） 后，注入 Si 以降低缺陷的密度。?兩階段外延再生 （SPER）、薄膜減薄和兩步外延都為材料改進(jìn)提供了復(fù)雜的方法。?鍵合和 Smartcut 是生產(chǎn)最高質(zhì)量 SOS 晶圓的最佳方法。
