美國 UNIVERSITY WAFER P型摻雜硅襯底 晶圓

美國 UNIVERSITY WAFER P型摻雜硅襯底 晶圓

什么是 P 型摻雜？

P 型摻雜涉及將受體原子（如硼）引入本征（純）硅中。這些原子的價電子比硅少（3 個而不是 4 個），在晶格中形成“空穴”。

它如何提高導電性：

  • 空穴充當電荷載流子。

  • 當來自相鄰原子的電子跳入以填充它們時，這些空穴可以在晶格中移動。

  • 空穴的這種運動本質(zhì)上是正電荷傳導。
    結(jié)果：添加的硼越多（在限制范圍內(nèi)），產(chǎn)生的孔就越多，電導率也就越高。

本征硅P 型摻雜硅
電荷載體電子和空穴大部分是 Holes
傳導率低高于 intrinsic
摻雜劑示例–硼、鎵
運營商類型平衡大多數(shù)：孔（積極）

浮子區(qū) （FZ）?6“?×25mm P 型 Si：P[100]，（7,025-7,865）Ohmcm， 1 SEMI 平面 我們有大量的初裝、測試和機械級未摻雜、低摻雜和高摻雜硅片?1” – 12“ 硅片 低摻雜和高摻雜 現(xiàn)貨供應(yīng)，隨時可以發(fā)貨。全硅片盒和部分硅片盒的示例包括：

MEMC 硅片 100mm、150mm 和 200mm 的當前特價！請索取庫存清單！

超薄硅片

100mm P/B （100） 1-10 ohm-cm 25um 2um 薄硅也可用！

以下只是我們出售的晶圓規(guī)格之一！

  • 1“?未摻雜硅?（100） >1,000 ohm-cm 250um DSP
  • 2 英寸 P/硼 （100） 1-10 歐姆-厘米 280 微米 SSP
  • 3“ N/磷 （100） 0.01-0.02 ohm-cm 380um DSP
  • 4“ 本征硅 （100） >20,000 ohm-cm 500um DSP
  • 6 英寸 P/B （111） <1 ohm-cm 300um SSP
  • 8“ 本征 （100） >5,000 ohm-cm 750um SSP
  • 12 英寸 P/B （100） 10-20 歐姆-厘米 DSP 850 微米

我們可以定制小批量的晶圓。我們可以把它們切成丁，把它們稀釋成 2um。我們有未摻雜、低摻雜和高摻雜硅襯底，始終備有庫存。

P 型硅

  • Si 項目 #1390 – 50.8mm P 型硼摻雜 （100） 0.001-0.005 ohm-cm 280um SSP Prime
  • Si 項目 #978 – 76.2mm P 型摻硼 （100） 1-10 ohm-cm 380um SSP Prime
  • Si 項目 #783 – 100mm P 型摻硼 （100） 10-20 ohm-cm 500um SSP Prime?
  • Si 項目 #2454 – 150mm P 型摻硼 （100） 0.01-0.02 ohm-cm 625um SSP
  • Si 項目 #2516 – 200mm P 型摻硼 （100） 24-36 ohm-cm 725um SSP

Related posts