儀器化晶片（熱電偶、鍵合晶片或rtd）在半導(dǎo)體加工設(shè)備中得到應(yīng)用，而了解和控制晶片表面的溫度是關(guān)鍵。
熱電公司的儀器化晶片被廣泛應(yīng)用于許多行業(yè)，如快速熱處理（RTP）、快速熱退火（RTA）、曝光后烘烤（PEB）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、離子注入、太陽能電池和許多其他熱驅(qū)動(dòng)工藝。
TC-350H-高性能-溫度范圍（-40°C至350°C）
TC-350H使用盡可能小的傳感元件來減少熱質(zhì)量并增加每個(gè)傳感器的響應(yīng)時(shí)間。用于制造傳感器的材料經(jīng)過精心選擇，以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。
這種設(shè)計(jì)在了解和控制硅片表面溫度至關(guān)重要的應(yīng)用中得到了應(yīng)用。大多數(shù)制造商將傳感器嵌入晶圓的核心。該產(chǎn)品的測量重點(diǎn)放在晶圓表面最重要的過程發(fā)生的地方。在使用本產(chǎn)品時(shí)，您可以期望更快和更準(zhǔn)確的響應(yīng)時(shí)間，這是由傳感元件的最準(zhǔn)確位置決定的。
雖然這些產(chǎn)品通常用于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)，但這項(xiàng)技術(shù)也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-350晶圓產(chǎn)品采用熱電偶技術(shù)來產(chǎn)生最準(zhǔn)確可靠的讀數(shù)。
TC-350D-重型-溫度范圍（-40°C至350°C）
TC-350D使用最堅(jiān)固的部件來延長這些經(jīng)常易碎的產(chǎn)品的壽命。用于制造傳感器的材料經(jīng)過精心選擇，以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。
這種設(shè)計(jì)在了解和控制硅片表面溫度至關(guān)重要的應(yīng)用中得到了應(yīng)用。大多數(shù)制造商將傳感器嵌入晶圓的核心。本產(chǎn)品主要在晶圓表面進(jìn)行ites測量，在晶圓表面進(jìn)行最重要的工藝。在使用本產(chǎn)品時(shí)，您可以期望更快和更準(zhǔn)確的響應(yīng)時(shí)間，這是由傳感元件的最準(zhǔn)確位置決定的。
雖然這些產(chǎn)品通常用于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)，但這項(xiàng)技術(shù)也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-350晶圓產(chǎn)品采用熱電偶技術(shù)來產(chǎn)生最準(zhǔn)確可靠的讀數(shù)。
TC-700H-高性能-溫度范圍（-40°C至700°C）
TC-700H使用盡可能小的傳感元件來減少熱質(zhì)量并增加每個(gè)傳感器的響應(yīng)時(shí)間。用于制造傳感器的材料經(jīng)過精心選擇，以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。
這種設(shè)計(jì)在了解和控制硅片表面溫度至關(guān)重要的應(yīng)用中得到了應(yīng)用。大多數(shù)制造商將傳感器嵌入晶圓的核心。該產(chǎn)品的測量重點(diǎn)放在晶圓表面最重要的過程發(fā)生的地方。在使用本產(chǎn)品時(shí)，您可以期望更快和更準(zhǔn)確的響應(yīng)時(shí)間，這是由傳感元件的最準(zhǔn)確位置決定的。
雖然這些產(chǎn)品通常用于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)，但這項(xiàng)技術(shù)也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-700晶圓產(chǎn)品采用熱電偶技術(shù)產(chǎn)生最準(zhǔn)確可靠的讀數(shù)。
TC-700D-重型-溫度范圍（-40°C至700°C）
TC-700D使用最堅(jiān)固的部件來延長這些經(jīng)常易碎的產(chǎn)品的壽命。用于制造傳感器的材料經(jīng)過精心選擇，以獲得盡可能高的精度和最大的傳感器間均勻性。
這種設(shè)計(jì)在了解和控制硅片表面溫度至關(guān)重要的應(yīng)用中得到了應(yīng)用。大多數(shù)制造商將傳感器嵌入晶圓的核心。該產(chǎn)品的測量重點(diǎn)放在晶圓表面最重要的過程發(fā)生的地方。在使用本產(chǎn)品時(shí)，您可以期望更快和更準(zhǔn)確的響應(yīng)時(shí)間，這是由傳感元件的最準(zhǔn)確位置決定的。
雖然這些產(chǎn)品通常用于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)，但這項(xiàng)技術(shù)也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-700晶圓產(chǎn)品采用熱電偶技術(shù)產(chǎn)生最準(zhǔn)確可靠的讀數(shù)。
TC-1200-高溫/高純度-溫度范圍（-40°C至1200°C）
TC-1200利用了一種非常獨(dú)特的連接方法，允許超高溫操作。這種方法不使用粘合劑。相反，硅被激光焊接以固定傳感器。
這不僅允許高溫操作，還創(chuàng)造了一個(gè)最干凈的設(shè)計(jì)可用。通過消除粘合劑，不可能放氣或出現(xiàn)其他不良情況。
這種設(shè)計(jì)在了解和控制硅片表面溫度至關(guān)重要的應(yīng)用中得到了應(yīng)用。大多數(shù)制造商將傳感器嵌入晶圓的核心。該產(chǎn)品的測量重點(diǎn)放在晶圓表面最重要的過程發(fā)生的地方。在使用本產(chǎn)品時(shí)，您可以期望更快和更準(zhǔn)確的響應(yīng)時(shí)間，這是由傳感元件的最準(zhǔn)確位置決定的。
雖然這些產(chǎn)品通常用于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)，但這項(xiàng)技術(shù)也可用于測量任何其他二維表面的溫度均勻性。
TC-1200晶圓產(chǎn)品采用熱電偶技術(shù)來產(chǎn)生最準(zhǔn)確可靠的讀數(shù)。
BTC700H-低剖面/高響應(yīng)-儀器晶圓對-最高溫度700 C
BTC-700H為配對晶圓對提供了低剖面和精確的垂直對準(zhǔn)，以確?？焖俸蜏?zhǔn)確的響應(yīng)。該產(chǎn)品將對典型晶圓鍵合過程中發(fā)生的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)溫度變化作出響應(yīng)。
BTC700適用于需要了解和控制硅片表面溫度均勻性的硅片鍵合設(shè)備。MEMS、MOEMS、絕緣體上硅（SOI）、晶圓級封裝和三維芯片堆疊是采用晶圓鍵合的主要技術(shù)類別。
鍵合晶圓可由任何晶圓直徑制造，以便在技術(shù)上盡可能接近地遵循特定鍵合工藝。作為本產(chǎn)品的用戶，您可以期望對晶圓鍵合過程中發(fā)生的溫度變化做出快速、準(zhǔn)確和可靠的響應(yīng)。
RTD-低溫/高精度-儀表化晶圓電阻溫度探測器（RTD）-最高溫度240 C
儀器化晶圓rtd工作原理是在一定的溫度范圍內(nèi)，某些金屬的電阻以可重復(fù)和可預(yù)測的方式增加或減少。
與熱電偶晶片相比，RTD的儀器晶片具有更高的精度和更高的穩(wěn)定性，為監(jiān)控半導(dǎo)體制造設(shè)備提供了額外的選擇。
RTDs傳感器在長時(shí)間內(nèi)保持初始精度的能力提供了溫度測量的重復(fù)性。
