PREVAC 分子束外延系統(tǒng) MBE系統(tǒng) RHEED 或 TorrRHEED 系統(tǒng)可選 薄膜的外延生長(zhǎng) 單晶薄膜沉積

標(biāo)準(zhǔn) MBE 系統(tǒng)

PREVAC 的標(biāo)準(zhǔn)分子束外延MBE系統(tǒng)為獨(dú)立式配置,包括一個(gè)沉積工藝腔體以及一個(gè)用于便捷快速加載樣品的負(fù)載鎖腔體。該系統(tǒng)適用于 III-V、II-VI 族元素的外延生長(zhǎng),以及其它異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的研究。

系統(tǒng)提供可更換底法蘭的設(shè)計(jì)。整個(gè)底法蘭可通過(guò)專(zhuān)用設(shè)計(jì)的小車(chē)輕松更換,從而支持多種源配置,滿(mǎn)足不同科研需求。


特點(diǎn)

  • 通用型解決方案,適用于大多數(shù) MBE 外延生長(zhǎng)工藝研究需求

  • 適用于 III/V 族、II/VI 族元素及其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的外延生長(zhǎng)

  • 可安裝 多達(dá) 10 個(gè)蒸發(fā)源(DN 63CF 接口),配備相應(yīng)電源

  • 帶閥裂解源,帶電源

  • 高功率電子槍(e-gun),配電源

  • 1 至 4 軸 電動(dòng)或手動(dòng)樣品操控器,接收站可加熱最高 1400°C(采用耐用的固體 SiC 加熱元件)

  • 可支持的基片尺寸:從 10×10 mm 到 4 英寸

  • 系統(tǒng)基壓范圍:5×10?1? 到 5×10?11 mbar

  • 工藝腔體直徑可選:? 300 mm 或 ? 450 mm,帶可更換底法蘭(例如,? 450 mm 腔體可配置多達(dá) 10 個(gè) DN 63CF 蒸發(fā)源接口

  • 真空泵系統(tǒng)前級(jí)泵 + 渦輪分子泵(TMP)+ 離子泵 + 鈦升華泵(TSP)

  • 石英晶體薄膜監(jiān)測(cè)器(帶 Z 向操作器),可實(shí)現(xiàn)在聚焦點(diǎn)的沉積速率和厚度測(cè)量

  • RHEEDTorrRHEED 系統(tǒng)可選

  • 每個(gè)蒸發(fā)源口(63CF)配獨(dú)立遮光擋板

  • 帶快速線(xiàn)性傳輸機(jī)構(gòu)的 負(fù)載鎖腔體,便于樣品從負(fù)載鎖傳送至主腔體

  • 腔體內(nèi)部設(shè)有熱防護(hù)擋板

  • 裝配真空規(guī)測(cè)量系統(tǒng)

  • 可視窗(帶遮光裝置)

  • 冷卻系統(tǒng),帶預(yù)烘烤前氣體吹掃功能

  • 烘烤系統(tǒng)

  • 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)采用可調(diào)剛性主框架

  • 所有電氣組件裝入 19 英寸標(biāo)準(zhǔn)控制柜

附加功能與配置選項(xiàng)

  • 附加樣品存儲(chǔ)腔體

  • 電動(dòng)或手動(dòng)快門(mén)(可隨基片移動(dòng)),用于實(shí)現(xiàn)臺(tái)階層或掩膜沉積

  • 交叉污染防護(hù)擋板

  • 真空手提箱(運(yùn)輸盒),帶有與裝載鎖腔連接的接口

  • 附加氣體引入系統(tǒng),例如用于反應(yīng)性沉積工藝

  • 殘余氣體分析儀(RGA)

  • 束流通量監(jiān)測(cè)器(Beam Flux Monitor)

  • 加熱觀察窗,用于診斷設(shè)備

  • 紅外高溫計(jì)(Pyrometer)

  • 通過(guò) PLC 控制單元和 Synthesium 軟件實(shí)現(xiàn)對(duì)沉積過(guò)程與設(shè)備的全面控制

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[caption id=”attachment_1286″ align=”alignnone” width=”300″] Mini MBE系統(tǒng)?[/caption]

高級(jí)MBE系統(tǒng)

iMBE系統(tǒng)

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