iMBE 系統(tǒng)
全自動(dòng)MBE硬件設(shè)置用于薄膜生長(zhǎng)，例如用于半生產(chǎn)和用戶方便的非常高質(zhì)量原子層的沉積。
iMBE 系統(tǒng)用于單晶的薄膜沉積，具有磁特性、形貌、晶體學(xué)、薄膜厚度等的原位表征功能。
特征
- 全自動(dòng)和軟件控制的 MBE 平臺(tái)
- 適合 III/V、II/VI 族元素以及其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)
- DN 63CF 端口中多達(dá) 10 個(gè)蒸發(fā)源，帶電源
- 帶電源的帶閥裂解源
- 帶電源的大功率電子槍
- 1-4 軸電動(dòng)或手動(dòng)機(jī)械手，帶接收站，能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá) 1400°C 的高溫（帶有穩(wěn)定、長(zhǎng)壽命的固體 SiC 加熱器元件）
- 基板支架尺寸范圍：從 10×10 mm 到 4 英寸
- 極限壓力從 5×10 起-10至 5×10-11毫巴
- 工藝腔?450 mm，帶可更換的底部法蘭，最多可安裝 10 個(gè)端口 DN 63CF 用于蒸發(fā)源
- 帶門通道和差速泵送系統(tǒng)的工藝室，
- 泵送系統(tǒng)（基于前級(jí)泵、TMP、離子泵和TSP）
- 用于沉積速率測(cè)量和厚度監(jiān)測(cè)器的石英天平，帶有 Z 機(jī)械手，用于測(cè)量焦點(diǎn)的速率
- RHEED/TorrRHEED 帶設(shè)備
- 63CF 端口上的附加獨(dú)立快門
- 用于樣品架裝載
的?Load Lock 室 - 可靠、快速的線性傳輸系統(tǒng)，從負(fù)載鎖到工藝室
- 在2散熱罩
- 內(nèi)部防護(hù)罩?
- 帶設(shè)備的真空計(jì)
- Viewports – 帶百葉窗的觀察窗
- 烘烤前帶有集成吹掃管路的冷卻系統(tǒng)
- Bakeout 系統(tǒng)?
- 系統(tǒng)的可調(diào)節(jié)剛性主機(jī)架?
- 帶電子單元的 19 英寸機(jī)柜
- 通過PLC單元和Synthesium軟件完全控制沉積過程和設(shè)備
描述
處理室包含10個(gè)蒸發(fā)源端口，基底階段適用于直徑高達(dá)4英寸的樣品，具有加熱和旋轉(zhuǎn)選項(xiàng)。?它可以通過帶有線性傳輸系統(tǒng)的負(fù)載鎖室或直接通過差動(dòng)泵門輕松進(jìn)入。?沉積過程可以在很寬的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行控制（從 LN2高達(dá) 1400°C），并且可以完全通過 PLC 控制器進(jìn)行軟件編程和控制。
工藝腔室配有 UHV 標(biāo)準(zhǔn)的連接法蘭，用于連接當(dāng)前和未來的設(shè)備，包括：?
- 最多 10 個(gè)帶法蘭 DN 63CF 的光源（高溫或低溫，單絲或多絲），
- 帶法蘭的獨(dú)立百葉窗 DN 63CF，
- 帶電源的帶閥裂解器源，
- 帶電源的大功率 E-guns，
- 溫度范圍 （LN 起）2高達(dá) 1400°C）、
- 泵送系統(tǒng)（基于備用泵、TMP、離子泵和TSP泵），
- 帶設(shè)備的真空計(jì)，
- 用于線性傳輸系統(tǒng)的入口，例如來自負(fù)載鎖、徑向分配室、傳輸隧道或運(yùn)輸箱，
- 帶 Z 機(jī)械手的石英天平，
- RHEED/TorrRHEED 與設(shè)備，
- 電動(dòng)或手動(dòng)快門（跟隨基材），用于鄰近層或掩模，
- 附加氣體加注系統(tǒng)，例如。對(duì)于反應(yīng)沉積過程，
- viewports – 帶百葉窗的觀察窗，
- 殘余氣體分析儀 /
- 光束通量監(jiān)測(cè)器 /
- 診斷設(shè)備的加熱視口。
使用專門設(shè)計(jì)的手推車可以很容易地拆卸/更換底部法蘭，因此為您的生長(zhǎng)過程提供了各種不同的來源配置和選項(xiàng)。一個(gè)多功能手推車可用于更換底部法蘭、冷凍板和襯墊（便于清潔）。由于可以用源替換底部法蘭，因此一個(gè)沉積室可以適應(yīng)不同的應(yīng)用。
最終的設(shè)計(jì)和功能取決于系統(tǒng)配置。
如果需要，該系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)允許通過徑向分布傳輸解決方案或傳輸隧道與任何其他研究平臺(tái)組合和集成。
泵送系統(tǒng)與工藝腔室的標(biāo)準(zhǔn)容積相結(jié)合，可達(dá)到 5×10 范圍內(nèi)的極限壓力-10– 5×10-11?mbar，具體取決于泵的配置。?泵送系統(tǒng)是不同類型泵的組合，例如前級(jí)真空泵、離子泵、低溫泵、渦輪分子泵或鈦升華泵，根據(jù)特定應(yīng)用需求單獨(dú)選擇以實(shí)現(xiàn)最佳泵送性能。?
Synthesium?過程控制軟件允許各種類型和制造商的來源進(jìn)行集成和完美合作，并實(shí)現(xiàn)輕松的配方編寫、自動(dòng)生長(zhǎng)控制和廣泛的數(shù)據(jù)記錄。允許基于?Tango 開源設(shè)備集成新的附加組件。
該系統(tǒng)配備了先進(jìn)、易于使用的電源和電子設(shè)備，用于控制和支持離子源和整個(gè)包含的研究設(shè)備。
選項(xiàng)
- 額外的儲(chǔ)存室?
- 電動(dòng)或手動(dòng)快門（跟隨基材），用于鄰近圖層或掩模
- 防止交叉污染的防護(hù)罩?
- 真空手提箱（運(yùn)輸箱），在負(fù)載鎖室中帶端口
- 附加氣體加注系統(tǒng)，例如。用于反應(yīng)沉積工藝
- 殘余氣體分析儀
- 光束通量監(jiān)測(cè)器?
- 診斷設(shè)備的加熱視窗
- 高溫計(jì)
應(yīng)用
| 應(yīng)用 | 來源 | |||
| 積液細(xì)胞 | 電子束蒸發(fā)器 | 帶閥裂解器源 | 升華源 | |
| 金屬 | 鋁、鈷、鎳、銅 （等） | 鉬、鈀、鉭、鎢、鉑 | ||
| III/V 組 | 鈹、鋁、鎵、銦 | 磷、砷、銻 | 碳、硅摻雜 | |
| 第 II/VI 組 | 鈹、鋅、鎘 | 硫、硒、碲 | ||
| 第四組 | 鍺、錫、鉛 | 硅、鍺 | 硼、磷、銻 摻雜 | |
| 氧化物 | 錳、鐵、鎳、鎵、鎵、鉍、鉉 | |||
| 拓?fù)浣^緣體 （TI） | 鍺、錫、碲、鉍、GeSb | 硼 | 硒, 碲 | |
