PREVAC 分子束外延系統(tǒng) MBE系統(tǒng) RHEED 或 TorrRHEED 系統(tǒng)可選 薄膜的外延生長 單晶薄膜沉積

標準 MBE 系統(tǒng)

PREVAC 的標準分子束外延MBE系統(tǒng)為獨立式配置,包括一個沉積工藝腔體以及一個用于便捷快速加載樣品的負載鎖腔體。該系統(tǒng)適用于 III-V、II-VI 族元素的外延生長,以及其它異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的研究。

系統(tǒng)提供可更換底法蘭的設計。整個底法蘭可通過專用設計的小車輕松更換,從而支持多種源配置,滿足不同科研需求。


特點

  • 通用型解決方案,適用于大多數(shù) MBE 外延生長工藝研究需求

  • 適用于 III/V 族、II/VI 族元素及其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的外延生長

  • 可安裝 多達 10 個蒸發(fā)源(DN 63CF 接口),配備相應電源

  • 帶閥裂解源,帶電源

  • 高功率電子槍(e-gun),配電源

  • 1 至 4 軸 電動或手動樣品操控器,接收站可加熱最高 1400°C(采用耐用的固體 SiC 加熱元件)

  • 可支持的基片尺寸:從 10×10 mm 到 4 英寸

  • 系統(tǒng)基壓范圍:5×10?1? 到 5×10?11 mbar

  • 工藝腔體直徑可選:? 300 mm 或 ? 450 mm,帶可更換底法蘭(例如,? 450 mm 腔體可配置多達 10 個 DN 63CF 蒸發(fā)源接口

  • 真空泵系統(tǒng)前級泵 + 渦輪分子泵(TMP)+ 離子泵 + 鈦升華泵(TSP)

  • 石英晶體薄膜監(jiān)測器(帶 Z 向操作器),可實現(xiàn)在聚焦點的沉積速率和厚度測量

  • RHEEDTorrRHEED 系統(tǒng)可選

  • 每個蒸發(fā)源口(63CF)配獨立遮光擋板

  • 帶快速線性傳輸機構(gòu)的 負載鎖腔體,便于樣品從負載鎖傳送至主腔體

  • 腔體內(nèi)部設有熱防護擋板

  • 裝配真空規(guī)測量系統(tǒng)

  • 可視窗(帶遮光裝置)

  • 冷卻系統(tǒng),帶預烘烤前氣體吹掃功能

  • 烘烤系統(tǒng)

  • 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)采用可調(diào)剛性主框架

  • 所有電氣組件裝入 19 英寸標準控制柜

附加功能與配置選項

  • 附加樣品存儲腔體

  • 電動或手動快門(可隨基片移動),用于實現(xiàn)臺階層或掩膜沉積

  • 交叉污染防護擋板

  • 真空手提箱(運輸盒),帶有與裝載鎖腔連接的接口

  • 附加氣體引入系統(tǒng),例如用于反應性沉積工藝

  • 殘余氣體分析儀(RGA)

  • 束流通量監(jiān)測器(Beam Flux Monitor)

  • 加熱觀察窗,用于診斷設備

  • 紅外高溫計(Pyrometer)

  • 通過 PLC 控制單元和 Synthesium 軟件實現(xiàn)對沉積過程與設備的全面控制

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[caption id=”attachment_1286″ align=”alignnone” width=”300″] Mini MBE系統(tǒng)?[/caption]

高級MBE系統(tǒng)

iMBE系統(tǒng)

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