iPLD 系統(tǒng)

• 在各種環(huán)境條件下使用激光燒蝕噴涂材料
• 通過將基材加熱到?1200°C 的高溫，準備用于涂覆薄層的基材，包括在反應氣體（例如氧氣）的環(huán)境中
• 壓力穩(wěn)定值范圍廣：從 5×10 起^-10至 10 mbar
• 一種通過集成?RHEED 控制和成像來表征沉積層的快速方法
• 蛋雞生產(chǎn)過程中工藝條件的可重復性
• 科學和工業(yè)應用中的標準化
• 通過一個軟件實現(xiàn)流程和服務自動化
• 垂直PLD 工藝幾何形狀
• 帶有激光束驅(qū)動系統(tǒng)的準分子或?YAG?激光器
• 5 軸，電動基板機械手
  
• 不同的基板支架尺寸：從 10×10 mm 到 2 英寸
• 帶有原位目標交換系統(tǒng)的六位目標機械手
• 目標支架尺寸：1 或 2 英寸
• 全自動或手動靶材和基材轉(zhuǎn)移系統(tǒng)
  極限壓力從?1×10^-8至 5×10^-11?mbar 的 mbar 取決于泵送系統(tǒng)?
• 泵送系統(tǒng)（基于前級泵、TMP、離子泵和TSP）
• 帶設備的真空計
• 用于沉積速率測量和厚度監(jiān)測器的石英天平，帶有 Z 機械手，用于測量焦點的速率
• 用于樣品架和目標的?Load Lock 室
• 可靠、快速的線性傳輸系統(tǒng)，從負載鎖到工藝室
• Viewports – 帶百葉窗的觀察窗
• 烘烤前帶有集成吹掃管的水冷系統(tǒng)
• Bakeout 系統(tǒng)?
• 系統(tǒng)的可調(diào)節(jié)剛性主機架?
• 帶有電子元件的機柜與框架集成在一起

描述

工藝室包含 6 個靶材和一些用于在襯底上沉積的材料。該階段適用于直徑最大2英寸的樣品，具有冷卻/加熱和旋轉(zhuǎn)選項。自動或手動 PLD 系統(tǒng)能夠毫不費力地將目標和基板從負載鎖轉(zhuǎn)移到 PLD 機械手站。?

工藝腔室配有 UHV 標準的連接法蘭，用于連接當前和未來的設備，包括：?

• 激光
• 具有一定溫度范圍的基板機械手，
• 目標縱器 /
• 帶電源的離子源，用于清潔、蝕刻或活化基板表面，
• 泵送系統(tǒng)（基于備用泵、TMP、離子泵和TSP泵），
• 帶設備的真空計，
• 用于線性傳輸系統(tǒng)的入口，例如來自負載鎖、徑向分配室、傳輸隧道或運輸箱，
• 帶 Z 機械手的石英天平，
• RHEED/TorrRHEED 與設備，
• 電動或手動快門（跟隨基材），用于鄰近層或掩模，
• 額外的氣體劑量，例如。對于反應沉積過程，
• viewports – 帶百葉窗的觀察窗，
• 殘余氣體分析儀 /
• 光束通量監(jiān)測器 /
• 診斷設備的加熱視口。

最終的設計和功能取決于系統(tǒng)配置。?

如果需要，系統(tǒng)的模塊化設計允許通過徑向分布傳輸解決方案或傳輸隧道與任何其他研究平臺進行組合和集成。?

泵送系統(tǒng)與工藝室的標準容積相結(jié)合，可達到 1×10 范圍內(nèi)的極限壓力^-8– 5×10^-11mbar，具體取決于泵的配置。泵送系統(tǒng)是不同類型泵的組合，例如前級真空泵、離子泵、低溫泵、渦輪分子泵或鈦升華泵，根據(jù)特定應用需求單獨選擇以實現(xiàn)最佳泵送性能。?

Synthesium?過程控制軟件允許各種類型和制造商的來源進行集成和完美合作，并實現(xiàn)輕松的配方編寫、自動生長控制和廣泛的數(shù)據(jù)記錄。允許基于 Tango 開源設備集成新的附加組件。

該系統(tǒng)配備了先進、易于使用的電源和電子設備，用于控制和支持離子源和整個包含的研究設備。

選項

• RHEED/TorrRHEED?帶設備
• 電動或手動快門（跟隨基材），用于鄰近圖層或掩模
• 激光功率傳感器
• 額外的儲存室
• 內(nèi)部防護罩
• 防止交叉污染的防護罩
• 帶電源的離子源，用于清潔、蝕刻或活化基板表面
• 真空手提箱（運輸箱），在負載鎖室中帶端口
• 額外的氣體計量，例如。用于反應沉積工藝
• 殘余氣體分析儀
• 光束通量監(jiān)測器
• 用于診斷設備的加熱視窗
• 高溫計
• 橢圓儀
• 通過PLC單元和Synthesium軟件完全控制沉積過程和設備?

應用

該站可以創(chuàng)造新材料，例如納米材料、納米傳感器、植入物、支架、催化劑、光伏電池、通用儲能、鋼、輕合金、復合材料、超導體、抗菌層等。它可用于生物醫(yī)學工作以及微納米電子學、光電子學等的新解決方案。