NGI3000 離子源 表面離子清洗 離子濺射 離子散射光譜 樣品預(yù)處理和污染層去除

NGI3000 是一款結(jié)構(gòu)堅固、廣受歡迎的離子源,專為表面清洗(如離子濺射)設(shè)計。其束流能量高達(dá) 3 keV,典型離子電流可達(dá) 30 μA,適用于各類 UHV 表面科學(xué)實驗平臺。


🔧 核心性能與優(yōu)勢

  • 專利氣體注入系統(tǒng)

    • 允許在典型腔壓 1 x 10?? Torr 下進(jìn)行有效濺射

    • 無需昂貴的差分抽氣裝置,顯著降低系統(tǒng)集成成本

  • 適用于低壓貴氣體濺射

    • 在 UHV 條件下進(jìn)行高效清洗操作

  • 寬束離子束設(shè)計

    • 實現(xiàn)樣品表面的均勻濺射清潔

  • 兼容多種應(yīng)用

  • 束壓連續(xù)可調(diào)

    • 離子束電壓 200 V 至 3 kV 連續(xù)調(diào)節(jié),滿足不同工藝需求

  • 數(shù)字化控制電子系統(tǒng)

    • 提供 USB 或以太網(wǎng)接口,便于集成至現(xiàn)代自動化控制系統(tǒng)中


這款離子源非常適合搭配 LEED/AES、XPS、TOF-SIMS 或其他表面分析設(shè)備進(jìn)行樣品預(yù)處理污染層去除。

性能特點(diǎn)
? 采用專利氣體注入系統(tǒng),避免使用昂貴的差動抽氣設(shè)備
? 在低腔室壓力(約10?? Torr)下進(jìn)行稀有氣體濺射
? 寬幅離子束確保均勻濺射
? 兼容一般濺射清洗和離子散射光譜(ISS)應(yīng)用
? 連續(xù)可調(diào)的束電壓,最高可達(dá)3 kV


濺射刻蝕系統(tǒng)
LK Technologies的NGI3000型號離子槍及其控制電子設(shè)備專為離子濺射表面清洗設(shè)計,束能最高可達(dá)3 keV,離子電流最高25 μA。該離子槍采用創(chuàng)新氣體注入系統(tǒng),使濺射過程可在典型腔室壓力1×10?? Torr下進(jìn)行。相比傳統(tǒng)離子槍需要將腔室回填至約5×10?? Torr,這一氣體負(fù)荷的大幅降低帶來了顯著優(yōu)勢,縮短泵降時間并減少氣體雜質(zhì)問題。該氣體注入系統(tǒng)使NGI3000無需昂貴的差動抽氣裝置即可應(yīng)用于離子散射光譜(ISS)及其他離子光譜應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)配置下,離子槍發(fā)射寬幅離子束,確保大多數(shù)樣品清洗操作所需的均勻濺射。

該濺射刻蝕系統(tǒng)通常包括NGI3000離子槍、NGI3000-SE控制電子設(shè)備和NGI3000-LV泄漏閥。提供兩種標(biāo)準(zhǔn)槍體長度(詳見尺寸圖)。系統(tǒng)價格合理,兼容多種典型濺射清洗和ISS應(yīng)用。


技術(shù)規(guī)格
? 束電壓:0.1 – 3 kV,連續(xù)可調(diào)
? 離子源類型:電子轟擊式,提取式
? 燈絲:可更換,釷化銥絲
? 束電流:額定最大25 μA,發(fā)射電流20 mA;電流密度 > 100 μA/cm2
? 束直徑:高斯分布,隨靶距可變,典型值為2.5 cm槍頭到靶面時8 mm直徑(詳見表格)
? 安裝方式:2.75英寸外徑CFF法蘭,配4個SHV連接器
? 氣體入口:通過法蘭上集成的泄漏閥引入
? 離子源壓力:典型5×10?? Torr
? 腔室壓力:配150 l/s泵抽時典型1×10?? Torr
? 差動抽氣:無需
? 控制電子設(shè)備:機(jī)架安裝,前面板控制束電壓和發(fā)射電流,帶發(fā)射電流表計


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