Idonus濕法晶片卡盤WPWC、Idonus均勻電沉積晶片卡盤WEDC

濕蝕刻或電沉積過(guò)程中用于背面保護(hù)的濕處理晶片卡盤：我們?yōu)橹睆皆?英寸至200毫米之間、厚度在所需范圍內(nèi)的晶片制造卡盤?？梢愿鶕?jù)要求制造定制卡盤?？梢灾圃煊糜贙OH和HF蝕刻以及浸入其他化學(xué)物質(zhì)的卡盤。帶有集成環(huán)形電極的卡盤可以在電鍍過(guò)程中均勻化晶片上的電流密度分布。可以根據(jù)您的需求設(shè)計(jì)用于多個(gè)濕處理晶片夾具的晶片卡盤載體。大多數(shù)載體的設(shè)計(jì)都是為了完全適合我們客戶的蝕刻設(shè)備。

下面，我們列出了濕法蝕刻微細(xì)加工工藝中使用的一些標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)品，這些化學(xué)品與WPWC兼容：
HF（氫氟酸）
KOH（氫氧化鉀）
TMAH（四甲基氫氧化銨）